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B-Ware Ixys Pt Igbt Ixgn200 N60 B3 Sot 227 B Halbleiter Bauelement LeistungstransistorMerkmal Wert Typ IXGN200N60B3 Produkt Art IGBT Modul Gehuse SOT 227B Herst. Abk. IXY Konfiguration Einzeln Kollektor Emitter Sperrspannung U(CES) 600 V Collector Strom I(C) 300 A Impuls Kollektorstrom I(CM) 1200 A VCE Sttigung (max.) 1,5 V Leistung (max) P(TOT) 830 W Eingangstyp Standard Einschaltverzgerungszeit t(d)(on) 44 ns Ausschaltverzgerungszeit t(d)(off)(2) 450 ns Kollektor Reststrom I(CES) 50 A Eingangskapazitt 26 nF Q(G) 750 nC Serie GenX3
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| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Typ | IXGN200N60B3 |
| Produkt-Art | IGBT-Modul |
| Gehäuse | SOT-227B |
| Herst.-Abk. | IXY |
| Konfiguration | Einzeln |
| Kollektor-Emitter-Sperrspannung U(CES) | 600 V |
| Collector-Strom I(C) | 300 A |
| Impuls-Kollektorstrom I(CM) | 1200 A |
| VCE Sättigung (max.) | 1,5 V |
| Leistung (max) P(TOT) | 830 W |
| Eingangstyp | Standard |
| Einschaltverzögerungszeit t(d)(on) | 44 ns |
| Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2) | 450 ns |
| Kollektor-Reststrom I(CES) | 50 µA |
| Eingangskapazität | 26 nF |
| Q(G) | 750 nC |
| Serie | GenX3 |
| Ausführung | PT |
| Montageart | Gehäuse |
Produktbeschreibung
Das IGBT-Modul IXGN200N60B3 der Serie GenX3 ist für anspruchsvolle Schaltanwendungen konzipiert. Mit einer Kollektor-Emitter-Sperrspannung von 600 V und einem maximalen Collector-Strom von 300 A bietet dieses SOT-227B Modul hohe Leistung und Zuverlässigkeit. Die schnelle Schaltgeschwindigkeit sowie die robuste PT-Ausführung machen das IXGN200N60B3 vielseitig einsetzbar in industriellen Anwendungen.
Das IXGN200N60B3 IGBT-Modul eignet sich für professionelle Systeme, die hohe Effizienz und schnelle Schaltzeiten erfordern.
B-Ware Ixys Pt Igbt Ixgn200 N60 B3 Sot 227 B Halbleiter Bauelement Leistungstransistor
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